FMUSER oriģināls MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF strāvas tranzistora jauda MOSFET tranzistors N-Channel-RF tranzistors-FMUSER FM / TV apraides vienas pieturas piegādātājs

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF jaudas tranzistora jauda MOSFET tranzistora N-kanāla funkcijas: ● detaļas numurs MRF173CQ ● apraksts FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● detalizēts apraksts RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 2. stils ● Datu lapas MRF173CQ ● Vides informācija RoHS sertifikāts ● HTML datu lapa MRF173CQ Apraksts: ● Iepakojums: Paplāte ● Daļas statuss: Aktīvs ● Transistora tips: N-kanāls ● Frekvence: 150MHz ● Gain: 13dB ● Spriegums - Tests: 28V ● Pašreizējais vērtējums (ampēri) : 9A ● Trokšņa attēls: 1.5dB ● Pašreizējais - tests: 50mA ● Jauda - Izeja: 80W ● Volta

detaļa

Iepriekšējais:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF strāvas tranzistors

Nākamais:FMUSER oriģināls SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF jaudas tranzistors

Cena (LVL)	Gab (PCS)	Piegāde (USD)	Kopā (USD)	piegādes metode	Apmaksa
79	1	0	79	Airmail Piegādes
				Airmail Piegādes

FMUSER oriģināls MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF jaudas tranzistora jauda MOSFET tranzistors N-Channel

Iespējas:

● Daļa skaits MRF173CQ

● Apraksts FET RF 65V 150MHz 316-01
● Detalizēts apraksts RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 2. stils
● Datu lapas MRF173CQ

● Informācija par vidi RoHS sertifikāts

● HTML datu lapa MRF173CQ

Apraksts:
● iepakojums : Paplāte
● Daļas statuss: Aktīvs
● Transistora tips: N-kanāls
● Biežums: 150MHz
● Iegūt: 13dB
● Spriegums - tests: 28V
● Pašreizējais vērtējums (ampēri): 9A
● Trokšņa attēls: 1.5 dB
● Pašreizējais - tests: 50mA
● Jauda - izeja: 80W
● Spriegums - Rated: 65V

Pieteikumi:

Paredzēts platjoslas komerciāliem un militāriem lietojumiem līdz 200 MHz frekvenču diapazonam. Šīs ierīces lieljaudas, jaudas palielināšanas un platjoslas veiktspēja nodrošina iespējamos cietvielu raidītājus FM apraides vai TV kanālu frekvenču joslām, N-kanālu uzlabošanas režīmuMOSFET

Parametri:
N – kanālu uzlabošanas režīms MOSFET
● Garantēta veiktspēja pie 150 MHz, 28 V:
Izejas jauda = 80 W
Gain = 11 dB (13 dB tip.)
Efektivitāte = 55% Min. (60% tip.)
● Zema siltuma pretestība
● Izturība pārbaudīta ar nominālo izejas jaudu
● Nitrīda pasīvā forma, lai uzlabotu
● uzticamība
● Zema trokšņa rādītājs - 1.5 dB tip. pie 2.0 A, 150 MHz

● Lieliska termiskā stabilitāte; piemērots A klases ekspluatācijai