Pievienot izlasei Set Homepage
amats:Sākumlapa >> Izvēlne >> RF Transistor

Produkcija kategorija

Produkcija birkas

Fmuser Sites

FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF strāvas tranzistors

FMUSER oriģināls BLF888A 600W 50V UHF barošanas LDMOS RF strāvas tranzistors Apraksts: 600 W LDMOS RF strāvas tranzistors apraides raidītāju lietojumiem un rūpnieciskām vajadzībām. Šīs ierīces izcilā izturība padara to ideāli piemērotu ciparu un analogo raidītāju lietojumiem. Funkcijas ● Izcila izturība (VSWR ≥ 40: 1 visās fāzēs) ● Optimāla termiskā izturība un uzticamība, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Piemērots CW UHF un ISM lietojumiem ● Liels jaudas pieaugums ● Augsta efektivitāte ● Paredzēts platjoslas darbībai (470 MHz līdz 860 MHz) ● Iekšējo ieeju pielāgošana lielam pieaugumam un optimālai platjoslas darbībai ● Lieliska uzticamība ● Viegli

detaļa

Cena (LVL) Gab (PCS) Piegāde (USD) Kopā (USD) piegādes metode Apmaksa
296 1 0 296 DHL

 



FMUSER Oriģināls BLF888A 600W 50V UHF jauda LDMOS RF jauda Tranzistors 

Apraksts: 

600 W LDMOS RF jaudas tranzistors apraides raidītājiem un rūpnieciskiem lietojumiem. Šīs ierīces lieliska izturība padara to ideāli piemērotu digitālo un analogo raidītāju lietojumprogrammām.


Apkalpošana

● Lieliska izturība (VSWR ≥ 40: 1 visās fāzēs)
● Optimāla siltuma izturība un uzticamība, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Piemērots CW UHF un ISM lietojumprogrammām
● Lieljaudas pieaugums
● Augsta efektivitāte
● Paredzēti platjoslas darbībai (470 MHz līdz 860 MHz)
● Iekšējā ieejas atbilstība lielam ieguvumam un optimālai platjoslas darbībai
● Lieliska uzticamība
● Easy jaudas kontrole
● Atbilst bīstamo vielu ierobežošanas (RoHS) Direktīvai 2002/95 / EK

Aplikācijas
● Komunikācijas raidītāju pieteikumi UHF joslā

● Rūpnieciskie lietojumi UHF joslā


parametri

● simbols Parametrs Nosacījumi Min Tips / nosaukumsMax Vienība
● F diapazons frekvenču diapazons470 860 MHz
● PL (1dB) nominālā izejas jauda:  pie 1 dB iegūt saspiešanu 600 IN
● Testa signāls: DVB-T (8k OFDM)
● Gp jaudas pieaugums VDS = 50 V; f = 858 MHz 20 dB
D notekas efektivitāte VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) vidējā izejas jauda VDS = 50 V; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr intermodulācijas deformācijas pleca vājināšanās f = 858 MHz [0] -31 dBc
● BY pīķa un vidējā attiecība f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Tips: RF strāvas diskrētie tranzistori
● Min frekvence: 0.47 GHz
● Maksimālā frekvence: 0.86 GHz
● Izejas jauda: 600 W.

● Iegūt: 20 dB

● % Efektivitātes veids: 58

● Barošanas spriegums: 50 V
● ID: 1300 mA
● Iepakojums: SOT-593A

● Process: LDMOS














 

 

Cena (LVL) Gab (PCS) Piegāde (USD) Kopā (USD) piegādes metode Apmaksa
296 1 0 296 DHL

 

Atstāj ziņu 

Vārds *
E-pasts *
Mob. tālr.
Adrese
kods Skatīt verifikācijas kodu? Click atsvaidzināt!
Ziņa
 

Message saraksts

Komentāri Loading ...
Sākumlapa| Par mums| Izvēlne| Jaunumi| Download| Atbalsts| Atsauksmes| Sazinies ar mums| Serviss

Kontaktpersona: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-pasts: [e-pasts aizsargāts] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adrese angļu valodā: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., Guangzhou, Ķīna, 510620 Adrese ķīniešu valodā: 广州市天河区黄埔大道西273尷栘)305)