FMUSER 1gab Oriģināls jauns MRF6VP3450H sānu N-kanāla platjoslas RF barošana MOSFET tranzistors-RF tranzistors-FMUSER FM / TV apraides vienas pieturas piegādātājs

FMUSER 1gab Oriģinālais jaunais MRF6VP3450H sānu N-kanālu platjoslas RF jaudas MOSFET tranzistors Apraksts: Paredzēts platjoslas komerciālām un rūpnieciskām vajadzībām ar frekvenci no 470 līdz 860 MHz. Šo ierīču augstais pieaugums un platjoslas veiktspēja padara tās ideāli piemērotas liela signāla, kopēja avota pastiprinātāja lietojumiem 50 voltu analogās vai digitālās televīzijas raidītāju iekārtās. - Tipisks DVB - T OFDM veiktspēja: - VDD = 50 volti, IDQ = 1400 mA, - Pout = 90 vatu vid., F = 860 MHz, 8K režīms, 64 QAM - jaudas pieaugums ： 22.5 dB - Drenāžas efektivitāte ： 28% - ACPR @ 4 MHz nobīde - 62 dBc @ 4 kHz joslas platums - Tipiska platjoslas divu toņu veiktspēja: --VDD = 50 volti, IDQ = 1400 mA, --Po

detaļa

Iepriekšējais:FUMSER oriģināls radiofrekvenču metāla oksīda pusvadītāju lauka efekta tranzistors

Nākamais:FMUSER 1gab Original New MRF317 RF TRANSISTOR, Broadband RF POWER TRANSISTOR

Cena (LVL)	Gab (PCS)	Piegāde (USD)	Kopā (USD)	piegādes metode	Apmaksa
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1gab. Oriģināls jauns MRF6VP3450H sānu N-kanāla platjoslas RF jaudas MOSFET tranzistors

Apraksts:
Paredzēts platjoslas komerciāliem un rūpnieciskiem lietojumiem ar frekvenci no 470 līdz 860 MHz. Lielais ieguvums un šo ierīču platjoslas veiktspēja padara tās ideāli piemērotas liela signāla, kopēja avota pastiprinātāja lietojumiem 50 voltu spriegumā analogās vai digitālās televīzijas raidītāju iekārtas.

--Tipiska DVB - T OFDM veiktspēja:
--VDD = 50 volti, IDQ = 1400 mA,
--Iziet: 90 vatu vid., F = 860 MHz, 8K režīms, 64 QAM
--Jaudas pieaugums ： 22.5 dB
--Drenāžas efektivitāte ： 28%
--ACPR @ 4 MHz nobīde - 62 dBc @ 4 kHz joslas platums

--Tipiska platjoslas divu toņu veiktspēja:
--VDD = 50 volti, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 W PEP, f = 470-860 MHz
--Jaudas pieaugums ： 22 dB
--Drenāžas efektivitāte ： 44%
--IM3 ： -29 dBc

--Spēj apstrādāt 10: 1 VSWR, visi fāzes leņķi, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 W CW
--90 vatu vid. (DVB - T OFDM signāls, 10 dB PAR, 7.61 MHz kanāla joslas platums)

Iezīmes:
--Raksturo sērijas ekvivalenti lielo signālu pretestības parametri
--Iekšējā ievade ir saskaņota lietošanai
--Kvalificēts līdz maksimālajam 50 VDD darbam
--Integrētā ESD aizsardzība
--Paredzēts Push - Pull darbībai

--Lielāki negatīvie vārti - avota sprieguma diapazons uzlabotai C klases darbībai

--RoHS
--Tape un Reel. R6 sufikss = 150 vienības uz 56 mm, 13 collu spole.
--R5 suffix = 50 vienības uz 56 mm, 13 collu spole.

Komplektā ietilpst:

1 * MRF6VP3450H tranzistors

Cena (LVL)	Gab (PCS)	Piegāde (USD)	Kopā (USD)	piegādes metode	Apmaksa
215	1	0	215	DHL
				DHL

Iepriekšējais:FUMSER oriģināls radiofrekvenču metāla oksīda pusvadītāju lauka efekta tranzistors

Nākamais:FMUSER 1gab Original New MRF317 RF TRANSISTOR, Broadband RF POWER TRANSISTOR

Atstāj ziņu

Message saraksts

Komentāri Loading ...

Produkcija kategorija

Produkcija birkas

Fmuser Sites

detaļa

Atstāj ziņu

Message saraksts