FMUSER Oriģināls jauns MRF6VP2600H RF jaudas tranzistors MOSFET tranzistors 500MHz 600W sānu N-kanāla platjoslas-RF tranzistors-FMUSER FM / TV pārraides vienas pieturas piegādātājs

FMUSER oriģināls jaunais RF strāvas tranzistors MRF6VP2600H MOSFET tranzistors 500 MHz 600 W sānu N-kanālu platjoslas pārskats MRF6VP2600H ir paredzēts galvenokārt platjoslas lietojumprogrammām ar frekvenci līdz 500 MHz. Ierīce ir nepārspējama un piemērota izmantošanai apraides lietojumprogrammās. Funkcijas * Tipiska DVB-T OFDM veiktspēja: VDD = 50 volti, IDQ = 2600 mA, Pout = vidēji 125 vati, f = 225 MHz, kanāla joslas platums = 7.61 MHz, ieejas signāls PAR = 9.3 dB @ 0.01% varbūtība uz CCDF. Jaudas pieaugums: 25 dB Drenāžas efektivitāte: 28.5% ACPR @ 4 MHz Nobīde: –61 dBc @ 4 kHz Joslas platums * Tipiska impulsa veiktspēja: VDD = 50 volti, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 W maksimums, f = 225 MHz, Impulsa platums = 100

detaļa

Iepriekšējais:FMUSER oriģināls jauns MRFE6VP61K25H RF jaudas tranzistors ar lielu jaudu MOSFET tranzistors LDMOS 1000w FM raidītājam

Nākamais:FMUSER Oriģināls Jauns BLF178XR RF jaudas tranzistors MOSFET tranzistors LDMOS 1400W HF-128MHz

Cena (LVL)	Gab (PCS)	Piegāde (USD)	Kopā (USD)	piegādes metode	Apmaksa
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Oriģināls Jauns MRF6VP2600H RF jaudas tranzistors MOSFET tranzistors 500MHz 600W sānu N-kanālu platjosla

Pārskats

MRF6VP2600H ir paredzēts galvenokārt platjoslas lietojumprogrammām ar frekvencēm līdz 500 MHz. Ierīce ir nesaskaņota un ir piemērota lietošanai apraides programmās.

Apkalpošana

* Tipiska DVB-T OFDM veiktspēja: VDD = 50 volti, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 W vid., F = 225 MHz, kanāla joslas platums = 7.61 MHz, ieejas signāls PAR = 9.3 dB @ 0.01% varbūtība uz CCDF. : 25 dBDrenāžas efektivitāte: 28.5% ACPR @ 4 MHz nobīde: –61 dBc @ 4 kHz joslas platums

* Tipiska impulsa veiktspēja: VDD = 50 volti, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 vatu maksimums, f = 225 MHz, impulsa platums = 100 µsek, darba cikls = 20% jaudas pieaugums: 25.3 dB Drenāžas efektivitāte: 59%

* Spēj apstrādāt 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 vatu maksimālā jauda, impulsa platums = 100 µsec, darba cikls = 20%

* Raksturīgi ar sērijas ekvivalentiem liela signāla pretestības parametriem

* CW darbības spēja ar atbilstošu dzesēšanu

* Kvalificēts līdz maksimāli 50 VDD darbībai

* Integrētā ESD aizsardzība

* Paredzēts Push-Pull darbībai

* Lielāka negatīvā vārtu avota sprieguma diapazons uzlabotai C klases darbībai

* RoHS

* Tape un Reel. R6 sufikss = 150 vienības uz 56 mm, 13 collu spole.

specifikācija

Frekvence (min) (MHz): 2

Frekvence (Max) (MHz): 500

Barošanas spriegums (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Izejas jauda (Typ) (W) @ Intermodulācijas līmenis testa signālā: 125.0 @ AVG

Testa signāls: OFDM

Jaudas palielinājums (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Efektivitāte (Typ) (%): 28.5

Termiskā pretestība (Spec) (℃ / W): 0.2

Atbilstība: nesaskaņota

Klase: AB

Die tehnoloģija: LDMOS

Cena (LVL)	Gab (PCS)	Piegāde (USD)	Kopā (USD)	piegādes metode	Apmaksa
245	1	35	280	DHL
				DHL

Iepriekšējais:FMUSER oriģināls jauns MRFE6VP61K25H RF jaudas tranzistors ar lielu jaudu MOSFET tranzistors LDMOS 1000w FM raidītājam

Nākamais:FMUSER Oriģināls Jauns BLF178XR RF jaudas tranzistors MOSFET tranzistors LDMOS 1400W HF-128MHz

Atstāj ziņu

Message saraksts

Komentāri Loading ...

Produkcija kategorija

Produkcija birkas

Fmuser Sites

detaļa

Atstāj ziņu

Message saraksts